分组
正常检验一次抽样
IL(检验水平)
AQL
A1
Ⅱ
2.5
A2
Ⅱ
2.5
B1
I
1.5
B2
S3
2.5
B3
S3
1.5
本文是学习GB-T 16525-2015 半导体集成电路 塑料有引线片式载体封装引线框架规范. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)
封装引线框架(以下简称引线框架)的
技术要求及检验规则。
本标准适用于半导体集成电路塑料有引线片式载体(PLCC)
封装引线框架的研制、生产和采购。
下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文
件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 2423.60—2008 电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验 U:
引出端及整体安
装件强度
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 7092 半导体集成电路外形尺寸
GB/T 14112—2015 半导体集成电路 塑料双列封装冲制型引线框架规范
GB/T 14113 半导体集成电路封装术语
SJ 20129 金属镀覆层厚度测量方法
GB/T 14112—2015 和 GB/T 14113 中界定的术语和定义适用于本文件。
引线框架的外形尺寸应符合 GB/T7092
的有关规定，并符合引线框架设计的要求。
侧弯在整个标称长度上不超过0.051 mm。
材料厚度不大于0.152 mm 时，卷曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152 mm
时，卷曲为材料
厚度的2倍。
GB/T 16525—2015
横弯尺寸应符合表1的规定。
表 1 横弯尺寸
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材料厚度不大于0.152 mm
时，条带扭曲为材料厚度的2.5倍；材料厚度大于0.152 mm 时，条带扭
曲为材料厚度的2倍。
引线扭曲不超过3°30'。
图纸上表明的尺寸为精压前尺寸，在保证精压宽度不小于引线宽度90%的条件下，精压深度不大
于材料厚度的30%。最小精压深度受最小键合区要求的限制，最大精压深度受最小引线间距要求的限
制，参考值为0.015 mm～0.06 mm。
相邻两精压区端点间的间隔及精压区端点与芯片粘接区间的间隔大于0.076 mm。
在卷带或非卷带条件下，引线端点应在 Z 平面的下列公差内(见表2)。
表 2 引线端点共面性
单位为毫米
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在长或宽每2.54 mm 尺寸最大倾斜0.05 mm, 测试从角到角进行。
4.2.10 芯片粘接区下陷
芯片粘接区下陷以下陷的标称值计算，公差为±0.05 mm。
GB/T 16525—2015
4.2.11
芯片粘接区平面度
芯片粘接区平面度测试从中心到拐角进行，拐角测量点规定为离每边0.127 mm
处，平整度不大于
4.2.12 引线框架内部位置公差
所有引线框架的特征中心线相对于边框上定位孔中心线实际位置公差应在0.05
mm 之内。
垂直毛刺最大为0.025 mm, 水平毛刺最大为0.05 mm。
在功能区和外引线，凹坑和压痕深度不应超过0.008 mm, 最大表面尺寸为0.013
mm。 在非功能区 内，凹坑和压痕深度不应超过0.025 mm,
最大表面尺寸不应超过0.051 mm: 划痕最大尺寸宽×深：
0.075 mm×0.030 mm,数量不超过1个。
无镀层部位应呈金属材料本色，无锈蚀、发花等缺陷。
4.4.1.1 镀金
引线框架局部镀金层厚度不小于1μm。
4.4.1.2 局部镀银
局部镀银引线框架，其镀银层厚度不小于3μm (平均值),任意点不小于2.5μm。
镀层表面应致密、平滑、色泽均匀呈镀层本色，不允许有起皮、起泡、玷污、斑点、水迹、异物、发花等
缺陷。应无明显污点、脱落或镀层漏镀，无贯穿镀层的划痕。
镀层经高温试验后应无明显变色，不允许起皮、起泡、剥落、发花、斑点等缺陷。
引线框架引线键合区应易于键合，键合强度大于40 mN。
引线框架的外引线经弯曲试验后不应出现断裂。
GB/T 16525—2015
胶带上的铜覆盖面积超过引线框面积之10%即判为不合格。
胶带上不允许银层粘附。
一个检验批可由一个生产批构成，或由符合下述条件的几个生产批构成：
a) 这些生产批是采用基本相同的材料、工艺、设备等制造出来的；
b)
每个生产批的检验结果表明，材料和工序的质量均能保证所生产的引线框架达到预先规定的
质量要求；
c)
若干个生产批构成一个检验批的时间通常不超过一周，除另有规定外，最长不得超过一个月。
5.2.1 鉴定检验由 A 组 、B组 、C 组检验组组成。
5.2.2 鉴定后的引线框架应按5.3的规定进行质量一致性检验。
5.2.3 对于已鉴定的引线框架，当发生以下任一情况时，应重新进行鉴定：
a) 修改了引线框架设计图纸；
b) 生产制造技术改变(包括生产场地的改变);
c)
停止生产半年以上(如果该生产线生产另一种已鉴定的引线框架，且主要工艺未作改变，则可
以认为生产是连续的)。
重新鉴定时，应进行 A 组 、B 组 和 C
组检验。在检验没有结果之前，这些引线框架不得交付使用。
质量一致性检验由 A 组 、B 组 、C 组检验组组成。
A 组检验应逐批进行，其检验分组见表3。
表 3 A 组检验
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B 组检验应逐批进行，其检验分组见表4。
GB/T 16525—2015
表 4 B 组检验
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C 组检验为周期检验，应每三个月进行一次，其检验分组见表5。
表 5 C 组检验
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5.3.5.1 抽样方案
A 组和B1～B3 组检验采用AQL 抽样方案见表6。 B4 和 C 组检验采用LTPD
抽样方案见表7。
抽样以条为计数单位。
表 6 A 组和 B1、B2、B3 组检验的抽样要求
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GB/T 16525—2015
表 7 B4 和 C 组检验的抽样要求
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采用AQL 抽样方案时，应根据GB/T 2828.1—2012正常检验一次抽样；采用LTPD
抽样方案时，
应根据 GB/T 14112—2015 附录C 确定抽样方案。
逐批检验的样品应从该检验批中抽取。周期检验的样品应从通过了 A 组和 B
组检验的一个或几
个检验批中抽取。
5.3.5.2 批拒收判据
不符合 A 组和 B
组检验要求的批为不合格批。如果引线框架在质量一致性检验中不能符合某一
分组中的一项试验要求，将使该批引线框架被拒收，质量一致性检验即可停止。如果一检验批在质量一
致性检验中不符合 A 组或B
组要求，而且未被重新提交，则该批即判为拒收批。
5.3.5.3 重新提交的批
通过采用尺寸校正，镀层清洗后重镀的方法，可以对初次提交的不符合A 组或B
组检验要求的批，
经返工后重新提交。重新提交的批应只包括原批中的那些引线框架。每个检验组(A
组或 B 组)只能
重新提交一次。重新提交的批应与其他批分开，并清楚标明为重新提交的批。重新提交的批对初次提
交的全部不合格试验分组，应采用加严检验，随机地重新抽样。 B
组检验不合格而重新提交时，应包括
A 组检验。
5.3.5.4 试验设备故障或操作人员失误时的程序
如果确认引线框架失效是由于试验设备故障或操作人员失误引起的，应将失效记入试验记录。质
量管理部门应决定是否可从同一检验批中抽取别的引线框架代替样品中被损坏的引线框架，替代的引
线框架应进行规定的全部试验。
5.3.5.5 周期检验不合格的程序
如果周期检验不合格，且不是由于设备故障或操作人员失误所引起，则应执行下述规定：
a) 立即停止引线框架的放行；
b)
调查不合格的原因，并根据调查结果对以后的生产批实施解决质量问题的措施；
c)
从以后各检验批中逐批抽取样品进行周期检验中不合格分组的全部试验。试验合格的批可以
放行。只有连续三个检验批通过这些分组的检验后，才能恢复正常的周期检验。
应编写放行批证明记录，并对记录的准确性负责。
放行批证明记录的内容应包括：
a) 制造单位名称、商标和地址；
GB/T 16525—2015
b) 引线框架的型号和规格；
c) 放行批证明记录周期的起止日期；
d) 所做的试验项目及试验结果。
若无其他规定，订购引线框架至少需要以下资料：
a) 型号、规格；
b) 设计图纸的编号；
c) 数量。
包装中应有检验合格证，标明制造单位名称、产品型号和规格、数量、批号及检验批代码。
内包装应采用化学中性的防潮包装，并保证产品不受损坏和玷污。
外包装应保证产品在贮存、运输过程中不受损伤，不变形。其上注明"怕雨""易碎"字样。
产品在运输过程中应防止雨淋、受潮。
产品应贮存在环境温度为10℃~35℃,相对湿度小于60%,周围无腐蚀性气体的库房内。
自生产日期起算，镀金引线框架保存期为6个月，镀银引线框架保存期为6个月。
GB/T 16525—2015
(规范性附录)
引线框架机械测量
A.1 绝缘间隙
A.1.1 目 的
测量引线框架精压区端点间，精压区端点与芯片粘接区间的间隔距离。
A.1.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 用投影仪的零中心线对准如图 A.1"1"
处的端点边，记录在零线的数据。再用投影仪的零中心 线对准如图 A.1"2"
处的端点边，测微计读数之差即为相邻两精压区端点间的间隔。
b) 用同样方法测图 A.1"3" 处的端点边与芯片粘接区“4"处间的间隔。
style="width:5.06661in;height:5.1799in" />
图 A.1 引线绝缘间隙
A.2 引线共面性
A.2.1 目 的
测量引线框架精压区是否处于同一平面。
A.2.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与 X、Y 移动轴平行。
b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z
平面。
GB/T 16525—2015
c) 把显微镜聚焦在如图 A.2
引线连筋1处的中点，焦点高度为零。再将焦点移至另一引线连筋
2处的相应点上，并重新聚焦。两个焦点高度的平均值为基准高度。
d) 将焦点移至精压区3处，并在距端点0.254 mm
处重新聚焦，记录相对于基准高度的高度差，
减去已知的精压深度，即得出实际的精压区共面性数值。
e)
用同样方法依次对每个精压区进行测量，准确记录每个读数的正(十)或负(一)值，最大值减去
最小值为内引线脚精压区共面性。
style="width:6.91999in;height:5.06in" />引线连筋
图 A.2 引线框架引线共面性
A.3 芯片粘接区斜度
A.3.1 目的
测量引线框架芯片粘接区的倾斜程度。
A.3.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y 移动轴平行。
b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z
平面。
c) 测试点应在距芯片粘接区切割边缘0.127 mm 处。把显微镜聚焦在如图 A.3
的目标1处，其 焦点高度为零。
d)
转动测微计的轴使其移至目标2处，重新调节显微镜焦距，测出焦点高度即为芯片粘接区的
斜度。
e) 用同样方法分别测量目标3和目标4,得出芯片粘接区的最大斜度。
style="width:5.64669in;height:3.88674in" />
GB/T 16525—2015
芯片连接区
2
4
引线连筋
图 A.3 引线框架芯片粘接区斜度
A.4 芯片粘接区下陷
A.4.1 目 的
测量引线框架芯片粘接区受压下陷的程度。
A.4.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与 X、Y 移动轴平行。
b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定 Z
平面。
c) 把显微镜聚焦在如图 A.4 的目标1处(1 . 27 mm
的中点),焦点高度为零。再将焦点移至2处 (1.27 mm
的中点),并重新聚焦。两个焦点的高度差即为芯片粘接区下陷值。
d) 用同样的方法测量目标3和目标4处的芯片粘接区下陷值。
style="width:6.63994in;height:1.39326in" />
style="width:5.00666in;height:2.06668in" />
A 部放大
图 A.4 引线框架芯片粘接区下陷
GB/T 16525—2015
A.5 芯片粘接区平面度
A.5.1 目的
测量引线框架芯片粘接区的平面程度。
A.5.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与X、Y 移动轴平行。
b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定Z
平面。
c) 把显微镜聚焦在如图 A.5
芯片粘接区的中心点，其焦点高度为零。再将焦点移至目标1处(距
芯片粘接区切割边缘0.127 mm), 测出焦点高度即为芯片粘接区该点的高度。
d)
用同样的方法分别测量目标2、目标3和目标4,分别得出芯片粘接区在该点的高度。
e) 1、2、3、4 点中的最大值即为该区域的芯片粘接区平面度。
style="width:6.96656in;height:4.80656in" />
图 A.5 引线框架芯片粘接区平面度
A.6 引线框架内部位置公差
A.6.1 目 的
测量引线框架内部位置公差。
A.6.2 测量方法
测量步骤如下：
a) 将夹具在仪器分辨率范围内与镜片垂直，并与 X、Y 移动轴平行；
b) 把引线框架按引线平面朝上放置，并固定在夹具的底座轨条上后确定 Z
平面；
c) 把显微镜聚焦在如图 A.6 边框上定位孔的中心点，其坐标尺寸为零；
d) 分别移动显微镜至如图 A.6 引线框架的特征中心1、2、3,分别读出其 X 或
Y 坐标特征值，该
值与图标尺寸的实际误差即为该部位的引线框架内部位置公差。
style="width:3.11331in" />GB/T 16525—2015
style="width:5.32007in;height:4.31992in" />
图 A.6 引线框架内部位置公差
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